深圳市三佛科技有限公司 供应 HS20N03 30V 20A MOS，原装，库存现货热销
HS20N03 参数 30V 20A SOT-89 N沟道 MOS场效应管
品牌：HOMSEMI/宏矽
型号：HS20N03
VDS：30V
IDS：20A
封装：SOT-89
沟道：N沟道
HS20N03原装正品，HS20N03库存现货热销。
参数：
漏源电压VDSS 30 V;
栅源电压VGS±20 V;
连续漏极电流（TC＝25°C）id 30 A;
脉冲漏极电流（TC = 25°IDM 120 C）;
单脉冲（注3）EAS 15 MJ雪崩能量重复（注2）耳6兆焦耳;
峰值二极管恢复dv/dt（注4）的dv / dt的6 kV /μS;
功耗（TC = 25°C）PD 60 W;
结温TJ+ 175°C;
存储温度**容许55 ~ + 175°C。
HS20N03 有2种：
HS20N03DA 参数 30V 20A TO-252 N沟道 MOS场效应管
HS20N03 参数 30V 20A SOT-89 N沟道 MOS场效应管
售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。
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