HS20N03 30V 20A MOS

深圳市三佛科技有限公司 供应 HS20N03 30V 20A MOS，原装，库存现货热销

HS20N03 参数 30V 20A SOT-89  N沟道  MOS场效应管

品牌：HOMSEMI/宏矽

型号：HS20N03

VDS：30V

IDS：20A

封装：SOT-89

沟道：N沟道

HS20N03原装正品，HS20N03库存现货热销。

参数：

漏源电压VDSS 30 V;

栅源电压VGS±20 V;

连续漏极电流（TC＝25°C）id 30 A;

脉冲漏极电流（TC = 25°IDM 120 C）;

单脉冲（注3）EAS 15 MJ雪崩能量重复（注2）耳6兆焦耳;

峰值二极管恢复dv/dt（注4）的dv / dt的6 kV /μS;

功耗（TC = 25°C）PD 60 W;

结温TJ+ 175°C;

存储温度**容许55 ~ + 175°C。

HS20N03 有2种：  

HS20N03DA 参数 30V 20A TO-252  N沟道  MOS场效应管

HS20N03 参数 30V 20A SOT-89  N沟道  MOS场效应管

售后服务：公司免费提供样品，并提供产品运用的技术支持。

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